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MIG30J901H

产品描述INTEGRATED GTR MODULE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小770KB,共11页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MIG30J901H概述

INTEGRATED GTR MODULE

MIG30J901H规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-D12
Reach Compliance Codeunknow
其他特性3PHASE DIODE RECTIFIER, BRAKE AND INVERTER AVAILABLE IN A MODULE
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-PUFM-D12
元件数量7
端子数量12
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON

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描述 INTEGRATED GTR MODULE INTEGRATED GTR MODULE

 
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