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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJ10007
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MJ10007

产品描述NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小115KB，共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJ10007概述

NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

MJ10007规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-3
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz

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30 ns Inductive Fall Time — 25
_
C (Typ)
500 ns Inductive Storage Time — 25
_
C (Typ)
Operating Temperature Range –65 to + 200
_
C
The MJ10007 Darlington transistor is designed for high–voltage, high–speed,
power switching in inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited
for line operated switchmode applications such as:
•
Switching Regulators
•
Inverters
•
Solenoid and Relay Drivers
•
Motor Controls
•
Deflection Circuits
Fast Turn–Off Times
100
_
C Performance Specified for:
Reversed Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Currents
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions
— The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
SWITCHMODE Series
NPN Silicon Power Darlington
Transistors with Base-Emitter
Speedup Diode
Designer's
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
REV 2
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage Junction Temperature Range
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current — Continuous
— Peak (1)
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
Emitter Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
™
Data Sheet
Characteristic
Rating
v
10%.
≈
100
≈
15
Symbol
Symbol
TJ, Tstg
VCEO
VCEV
VCEX
R
θJC
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
TL
10 AMPERE
NPN SILICON
POWER DARLINGTON
TRANSISTORS
400 VOLTS
150 WATTS
MJ10007 *
– 65 to + 200
*Motorola Preferred Device
Value
1.17
Max
150
100
0.86
275
500
450
400
2.5
5.0
8.0
10
20
Order this document
by MJ10007/D
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
Watts
_
C/W
W/
_
C
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
_
C
_
C
1

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