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CMPTA46-TR

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 100mA 50V w/bias resistor
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小393KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMPTA46-TR概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 100mA 50V w/bias resistor

CMPTA46-TR规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max450 V
Collector- Base Voltage VCBO450 V
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage200 mV
Maximum DC Collector Current500 mA
Gain Bandwidth Product fT20 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min50 at 10 mA at 10 V
DC Current Gain hFE Max200 at 10 mA at 10 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
350 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

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CMPTA46
SURFACE MOUNT
EXTREMELY HIGH VOLTAGE
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA46 type
is a surface mount epoxy molded NPN silicon planar
epitaxial transistor designed for extremely high voltage
applications.
MARKING CODE: C46
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
450
450
6.0
500
350
-65 to +150
357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICBO
VCB=400V
IEBO
VBE=4.0V
BVCBO
IC=100µA
450
610
BVCEO
IC=1.0mA
450
490
BVEBO
IE=10µA
6.0
8.7
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
IC=1.0mA, IB=0.1mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
VCE=10V, IC=1.0mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V, IC=50mA
VCE=10V, IC=100mA
VCE=10V, IC=10mA, f=10MHz
VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
40
50
45
25
20
MAX
100
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
0.20
0.15
108
110
95
35
0.30
0.50
1.0
200
MHz
7.0
130
pF
pF
R5 (3-February 2010)

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