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MJ10009

产品描述NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小119KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJ10009概述

NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

MJ10009规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-3
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压500 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)175 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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