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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJ10022
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MJ10022

产品描述40 AMPERE NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 350 AND 400 VOLTS 250 WATTS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小162KB，共8页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MJ10022概述

40 AMPERE NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 350 AND 400 VOLTS 250 WATTS

MJ10022规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压350 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)250 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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AC and DC Motor Controls
Switching Regulators
Inverters
Solenoid and Relay Drivers
Fast Turn–Off Times
150 ns Inductive Fall Time @ 25
_
C (Typ)
300 ns Inductive Storage Time @ 25
_
C (Typ)
•
Operating Temperature Range – 65 to + 200
_
C
•
100
_
C Performance Specified for:
Reversed Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Currents
•
•
•
•
•
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The MJ10022 and MJ10023 Darlington transistors are designed for high–voltage,
high–speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are
particularly suited for line–operated switchmode applications such as:
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions
— The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
Designer's
™
Data Sheet
SWITCHMODE Series
NPN Silicon Power Darlington
Transistors with Base-Emitter
Speedup Diode
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage Junction Temperature Range
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current — Continuous
— Peak (1)
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
Emitter Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
Characteristic
Rating
v
10%.
Symbol
Symbol
TJ, Tstg
VCEO
VCEV
R
θJC
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
TL
≈
100
≈
15
MJ10022
450
350
– 65 to + 200
Max
250
143
1.43
275
0.7
20
40
40
80
80
40 AMPERE
NPN SILICON
POWER DARLINGTON
TRANSISTORS
350 AND 400 VOLTS
250 WATTS
MJ10022
MJ10023
MJ10023
CASE 197A–05
TO–204AE (TO–3)
600
400
Order this document
by MJ10022/D
Watts
_
C/W
W/
_
C
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
_
C
_
C
1

MJ10022相似产品对比

MJ10022 MJ10023
描述 40 AMPERE NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 350 AND 400 VOLTS 250 WATTS 40 AMPERE NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 350 AND 400 VOLTS 250 WATTS
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknow unknow
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 40 A 40 A
集电极-发射极最大电压 350 V 400 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
JEDEC-95代码 TO-204AE TO-204AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 250 W 250 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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热门器件

  1. B59100-C155-A70
  2. HW-15-11-LM-D-375-SM
  3. TMM-135-01-F-S-SM-10-P-TR
  4. MSU2958C16-447U
  5. 701-088-12A-LC-B
  6. TCT06030C2700Y470R00
  7. FP20114122051CHDX
  8. PRC2010TTC50V52.3K+-0.1%
  9. 3DD13001-TO-251
  10. SMQP563K275C3XXB1015
  11. A2006HU-2x6P
  12. A2549HI-2P-K

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