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IPD09N03LA-G

产品描述MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小99KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IPD09N03LA-G概述

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

IPD09N03LA-G规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-252-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage25 V
Id - Continuous Drain Current50 A
Rds On - Drain-Source Resistance14.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Reel
系列
Packaging
Cut Tape
Fall Time3.4 ns
Forward Transconductance - Min46 S / 23 S
高度
Height
2.3 mm
长度
Length
6.5 mm
Moisture SensitiveYes
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
63 W
Rise Time5.6 ns
Factory Pack Quantityctfwqvxdezwbtc2500
Transistor Type1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time20 ns
Typical Turn-On Delay Time7 ns
宽度
Width
6.22 mm
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz
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