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BC548B

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30 Vceo 800mA 625mW Trans
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小399KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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BC548B概述

Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30 Vceo 800mA 625mW Trans

BC548B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
Base Number Matches1

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BC546,A,B
BC547,A,B,C
BC548,A,B,C
SILICON
NPN TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC546, BC547,
BC548 series devices are silicon NPN small signal
transistors, manufactured by the epitaxial planar
process, designed for general purpose amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-92-18R CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Peak Base Current
Peak Emitter Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICM
IBM
IEM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
Θ
JC
BC546
80
80
65
6.0
BC547
BC548
50
30
50
30
45
30
6.0
5.0
100
200
200
200
500
-65 to +150
250
150
UNITS
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB=30V, TA=150°C
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=0.5mA
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=5.0mA
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=0.5mA
VBE(SAT)
IC=100mA, IB=5.0mA
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=2.0mA
580
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=10mA
hFE
VCE=5.0V, IC=10μA (BC546,A, BC547,A, BC548,A)
hFE
VCE=5.0V, IC=10μA (BC546B, BC547B, BC548B)
hFE
VCE=5.0V, IC=10μA (BC547C, BC548C)
hFE
VCE=5.0V, IC=2.0mA (BC546)
110
hFE
VCE=5.0V, IC=2.0mA (BC546A, BC547A, BC548A) 110
hFE
VCE=5.0V, IC=2.0mA (BC546B, BC547B, BC548B) 200
hFE
VCE=5.0V, IC=2.0mA (BC547, BC548)
110
hFE
VCE=5.0V, IC=2.0mA (BC547C, BC548C)
420
hfe
VCE=5.0V, IC=2.0mA, f=1.0kHz
125
fT
VCE=5.0V, IC=10mA, f=35MHz
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
Cib
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
NF
VCE=5.0V, IC=0.2mA, RG=2.0kΩ,
B=200Hz, f=1.0kHz
TYP
MAX
15
5.0
250
600
700
900
700
770
90
150
270
450
220
450
800
800
900
300
2.5
9.0
2.0
10
UNITS
nA
μA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
MHz
pF
pF
dB
R1 (13-December 2013)

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