Precision Amplifiers LOW-NOISE PREC IC 2.8V/uS
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 5 weeks |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 350 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.18 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.18 A |
最大漏源导通电阻 | 15 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 12 pF |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1 W |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
TP2635N3-G | TP2635N3-G-P003 | TP2635N3-G-P002 | |
---|---|---|---|
描述 | Precision Amplifiers LOW-NOISE PREC IC 2.8V/uS | MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET | MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
系列 Packaging |
- | Reel | Reel |
产品种类 Product Category |
- | MOSFET | MOSFET |
制造商 Manufacturer |
- | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
RoHS | - | Details | Details |
技术 Technology |
- | Si | Si |
安装风格 Mounting Style |
- | Through Hole | Through Hole |
封装 / 箱体 Package / Case |
- | TO-92-3 | TO-92-3 |
Number of Channels | - | 1 Channel | 1 Channel |
Transistor Polarity | - | P-Channel | P-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - | - 350 V | - 350 V |
Id - Continuous Drain Current | - | - 180 mA | - 180 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance | - | 15 Ohms | 15 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - | 20 V | 20 V |
最小工作温度 Minimum Operating Temperature |
- | - 55 C | - 55 C |
最大工作温度 Maximum Operating Temperature |
- | + 150 C | + 150 C |
Configuration | - | Single | Single |
Channel Mode | - | Enhancement | Enhancement |
Fall Time | - | 40 ns | 40 ns |
高度 Height |
- | 5.33 mm | 5.33 mm |
长度 Length |
- | 5.21 mm | 5.21 mm |
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation |
- | 1 W | 1 W |
产品 Product |
- | MOSFET Small Signal | MOSFET Small Signal |
Rise Time | - | 15 ns | 15 ns |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity |
- | 2000 | 2000 |
Transistor Type | - | 1 P-Channel | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | - | 60 ns | 60 ns |
Typical Turn-On Delay Time | - | 10 ns | 10 ns |
宽度 Width |
- | 4.19 mm | 4.19 mm |
单位重量 Unit Weight |
- | 0.016000 oz | 0.016000 oz |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved