电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MJ16018

产品描述POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小198KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MJ16018概述

POWER TRANSISTOR

功率晶体管

MJ16018规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-3
包装说明TO-3, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压800 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)4
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)175 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MJ16018/D
Designer's
NPN Silicon Power Transistors
1.5 kV SWITCHMODE Series
These transistors are designed for high–voltage, high–speed, power switching in
inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for
line–operated switchmode applications.
Typical Applications:
Features:
Switching Regulators
Inverters
Solenoids
Relay Drivers
Motor Controls
Deflection Circuits
Collector–Emitter Voltage — VCEV = 1500 Vdc
Fast Turn–Off Times
80 ns Inductive Fall Time — 100
_
C (Typ)
110 ns Inductive Crossover Time — 100
_
C (Typ)
4.5
µs
Inductive Storage Time — 100
_
C (Typ)
100
_
C Performance Specified for:
Reverse–Biased SOA with Inductive Load
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Currents
Data Sheet
MJ16018*
MJW16018 *
*Motorola Preferred Device
POWER TRANSISTORS
10 AMPERES
800 VOLTS
125 AND 175 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎ Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MJ16018
MJW16018
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
VCEO(sus)
VCEV
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
800
1500
6
Collector Current — Continuous
— Peak(1)
Base Current — Continuous
— Peak(1)
Total Power Dissipation
@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
Derate above TC = 25
_
C
10
15
8
12
175
100
1
125
50
1
Watts
W/
_
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to 200
– 55 to 150
CASE 1–07
TO–204AA
MJ16018
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
TL
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8″ from Case for
5 Seconds
1
1
_
C/W
_
C
275
CASE 340F–03
TO–247AE
MJW16018
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5
µs,
Duty Cycle
v
10%.
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions
— The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.
REV 1
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
1

MJ16018相似产品对比

MJ16018 MJW16018
描述 POWER TRANSISTOR POWER TRANSISTOR
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 TO-3 TO-247AE
包装说明 TO-3, 2 PIN CASE 340F-03, 3 PIN
针数 2 3
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 800 V 800 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 4 4
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-247AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
封装主体材料 METAL PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 175 W 150 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
用8255过的朋友帮忙看看这个问题怎么解决?
8255控制LED数码管,可以做到,写几个函数就可以了,但是有一点搞不明白的就是,当用8255控制4*4键盘的时候,怎么去操作呢,如果用A口做输出,C口扫描的话,C口得先置一,然后再读取C口的值,这 ......
漫步112 单片机
单片机八路抢答器
谁有...
凯人生 电子竞赛
如何一点点的学习嵌入式linux开发环境搭建
对于一个嵌入式linux新手来说,嵌入式linux开发环境的搭建是一个最基本的技能也是一个比较棘手的问题,如何学习嵌入式linux开发环境?需要虚席哪些知识?对此整理了一些嵌入式linux开发 ......
sunplusedu2012a Linux开发
99SE 转Gerber视频教程
教程分三部分: 1 PADS 转文件文字教程 2 99SE 转文件文字教程 3 CAM350 导入文件...
逍遥 PCB设计
传两张我收到的LPC1114开发板靓照
由于是晚上照的,相机的时间也没有调整,所以照的不好,时间显示也不对,大家谅解,呵呵。先来张正面的吧 43690 再来个背面的 43691 呵呵 很漂亮吧。 本帖最后由 lixiaohai8211 于 2010 ......
lixiaohai8211 NXP MCU
充电器外围加个指示灯
62739 功能:当锂电池插上,即联到电路时LED亮;当锂电池拔出时LED灯灭。LED不报警充满与不充满,只报警电池有没有联到电路中。 请问这样联可不可以实现上面的功能?有哪些地方需改进?谢谢各 ......
whwshiyuan1984 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1510  2922  940  2481  1172  54  59  47  18  7 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved