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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJ16110
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MJ16110

产品描述NPN Silicon Power Transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小223KB，共10页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJ16110概述

NPN Silicon Power Transistors

MJ16110规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-3
包装说明FORMERLY TO-3, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)6
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)175 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ16110/D
Designer's
NPN Silicon Power Transistors
SWITCHMODE Bridge Series
•
•
•
•
•
•
. . . specifically designed for use in half bridge and full bridge off line converters.
Excellent Dynamic Saturation Characteristics
Rugged RBSOA Capability
Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) — 400 V
Collector–Emitter Breakdown — V(BR)CES — 650 V
State–of–Art Bipolar Power Transistor Design
Fast Inductive Switching:
tfi = 25 ns (Typ) @ 100
_
C
tc = 50 ns (Typ) @ 100
_
C
tsv = 1
µs
(Typ) @ 100
_
C
•
Ultrafast FBSOA Specified
•
100
_
C Performance Specified for:
RBSOA
Inductive Load Switching
Saturation Voltages
Leakages
MAXIMUM RATINGS
™
Data Sheet
MJ16110*
MJW16110 *
*Motorola Preferred Device
POWER TRANSISTORS
15 AMPERES
400 VOLTS
175 AND 135 WATTS
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Rating
Symbol
MJ16110
MJW16110
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
VCES
400
650
6
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Voltage
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
Collector Current — Continuous
— Pulsed (1)
Base Current — Continuous
— Pulsed (1)
Total Power Dissipation
@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
Derated above 25
_
C
15
20
10
15
175
100
1
135
54
1.09
Watts
W/
_
C
Operating and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 65 to 200
– 55 to 150
CASE 1–07
TO–204AA
(FORMERLY TO–3)
MJ16110
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance —
Junction to Case
R
θJC
TL
1
0.92
_
C/W
_
C
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes 1/8″ from Case
for 5 Seconds
275
CASE 340F–03
TO–247AE
MJW16110
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
v
10%.
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions
— The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola Inc.
REV 1
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
1

MJ16110相似产品对比

MJ16110 MJW16110
描述 NPN Silicon Power Transistors NPN Silicon Power Transistors
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 TO-3 TO-247AE
包装说明 FORMERLY TO-3, 2 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 2 3
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 15 A 15 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 6 6
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-247AE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
封装主体材料 METAL PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 175 W 135 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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