电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BR24T64FJ-WE2

产品描述Power Switch ICs - Power Distribution
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共37页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BR24T64FJ-WE2在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BR24T64FJ-WE2 - - 点击查看 点击购买

BR24T64FJ-WE2概述

Power Switch ICs - Power Distribution

BR24T64FJ-WE2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SOP-8
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time11 weeks
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.65 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Datasheet
Serial EEPROM Series Standard EEPROM
I
2
C BUS EEPROM (2-Wire)
BR24T64-W
General Description
BR24T64-W is a serial EEPROM of I C BUS Interface Method
2
Features
Completely conforming to the world standard I C
BUS.
All controls available by 2 ports of serial clock
(SCL) and serial data (SDA)
Other devices than EEPROM can be connected to
the same port, saving microcontroller port
1.6V to 5.5V Single Power Source Operation most
suitable for battery use
1.6V to 5.5V wide limit of operation voltage, possible
FAST MODE 400KHz operation
Page Write Mode useful for initial value write at
factory shipment
Self-timed Programming Cycle
Low Current Consumption
Prevention of Write Mistake
Write (Write Protect) Function added
Prevention of Write Mistake at Low Voltage
More than 1 million write cycles
More than 40 years data retention
Noise filter built in SCL / SDA terminal
Initial delivery state FFh
2
Packages
W(Typ) x D(Typ) x H(Max)
DIP-T8
9.30mm x 6.50mm x 7.10mm
TSSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm
SOP8
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm
TSSOP-B8J
3.00mm x 4.90mm x 1.10mm
SOP-J8
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm
MSOP8
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm
SSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.35mm
VSON008X2030
2.00mm x 3.00mm x 0.60mm
Figure 1.
BR24T64-W
Capacity
Bit Format
Type
BR24T64-W
BR24T64F-W
BR24T64FJ-W
BR24T64FV-W
64Kbit
8K×8
BR24T64FVT-W
BR24T64FVJ-W
BR24T64FVM-W
BR24T64NUX-W
1.6V to 5.5V
TSSOP-B8
TSSOP-B8J
MSOP8
VSON008X2030
Power Source
Voltage
Package
DIP-T8
SOP8
SOP-J8
SSOP-B8
○Product
structure:Silicon monolithic integrated circuit
○This
product has no designed protection against radioactive rays
www.rohm.com
©2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111½14½001
1/33
TSZ02201-0R2R0G100120-1-2
04.Feb.2015 Rev.004

BR24T64FJ-WE2相似产品对比

BR24T64FJ-WE2 BR24T64F-WE2
描述 Power Switch ICs - Power Distribution Data Acquisition ADCs/DACs - Specialized MAX31865ATP+
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SOP-8 SOP-8
Reach Compliance Code compliant compliant
Factory Lead Time 11 weeks 11 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3
长度 4.9 mm 5 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 8KX8 8KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LSOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, LOW PROFILE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
电源 1.8/5 V 1.8/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.65 mm 1.71 mm
串行总线类型 I2C I2C
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.6 V 1.6 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm 4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE HARDWARE
Base Number Matches 1 1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 19  1862  464  816  1770  10  32  37  26  29 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved