电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MJD1121

产品描述2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小172KB,共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MJD1121概述

2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

2 A, 100 V, NPN, 硅, 功率晶体管

MJD1121规格参数

参数名称属性值
端子数量2
晶体管极性NPN
最大集电极电流2 A
最大集电极发射极电压100 V
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构达林顿 WITH BUILT-IN 二极管 AND 电阻
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
最大环境功耗1.75 W
晶体管类型通用电源
最小直流放大倍数200
额定交叉频率25 MHz

文档预览

下载PDF文档
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
* These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
µs,
Duty Cycle
2%.
(continued)
DPAK For Surface Mount Applications
Complementary Darlington
Power Transistors
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages
in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
REV 1
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
Thermal Resistance, Junction to Ambient*
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Total Power Dissipation* @ TA = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current
Collector Current — Continuous
Peak
Emitter–Base Voltage
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
Surface Mount Replacements for TIP110–TIP117 Series
Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors
High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 2.0 Adc
Complementary Pairs Simplifies Designs
Characteristic
Rating
Symbol
Symbol
TJ, Tstg
VCEO
VCB
VEB
IC
PD
IB
PD
– 65 to + 150
MJD112
MJD117
1.75
0.014
Max
20
0.16
100
100
50
2
4
5
mAdc
Watts
W/
_
C
Watts
W/
_
C
Unit
Unit
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
_
C
SILICON
POWER TRANSISTORS
2 AMPERES
100 VOLTS
20 WATTS
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
MJD112*
PNP
MJD117*
*Motorola Preferred Device
CASE 369A–13
CASE 369–07
Order this document
by MJD112/D
NPN
0.190
4.826
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
R
θJA
71.4
6.25
_
C/W
_
C/W
0.165
4.191
Characteristic
v
v
VCEO(sus)
Symbol
ICBO
ICEO
IEBO
Min
100
Max
20
20
2
mAdc
µAdc
µAdc
Unit
Vdc
inches
mm
1
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.07
1.8

MJD1121相似产品对比

MJD1121 MJD112
描述 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
端子数量 2 2
表面贴装 Yes YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL
元件数量 1 1
晶体管应用 开关 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
framebuffer的问题,好郁闷
s3c2410 ,2.6.28的内核; 我的应用程序,将一副jpeg照片转成rgb565后,写入framebuffer,在屏幕上显示我的照片了;然后我的进程退出。 此时,图片还在显示.过10分钟后,屏幕上的图片没了,一 ......
jxb01033016 嵌入式系统
【ESP32-C3-DevKitM-1】ESP32-C3获取网络时间
本帖最后由 怀揣少年梦 于 2021-7-6 10:55 编辑 ESP32-C3获取网络时间,可以通过SNTP获取。简单了解了一下SNTP,翻译过来就是简单网络时间协议,是从NTP改过来的,我的理解就是通过这个SNTP ......
怀揣少年梦 国产芯片交流
vs2005 怎么调试 ce5.0 的驱动
我想在VS2005 里调试ce5.0 的驱动,怎么弄呢, 平台X86的 驱动用vs2005写完了,一个ISR的,一个IST的,编译通过,生成的dll加到镜像里了,注册表也写了, Drivers\Active里也有我的设备名 ......
kaixiongwu 嵌入式系统
检验A-D转换器纯度的保真度测试
引言 对正弦波进行精确数字化的能力是高分辨率A→D转换器保真度的一项敏感度测试。该测试需要一个具接近1ppm残留失真分量的正弦波发生器。此外,还需要一个基于计算机的A→D 输出监视器,用于 ......
wstt 微控制器 MCU
深入浅出通信原理
《深入浅出通信原理》的主要内容源于作者在通信人家园上的“深入浅出通信原理”系列连载,汇编成为继承了连载图文并茂、深入浅出、理论联系实际的特点,并在连载内容的基础上进行了补 ......
arui1999 下载中心专版
请教USB HOST开发中批量传输问题
最近用LPC2378+ISP1161做一个USB host项目,除下了几个问题,拿出来和大家讨论一下: 批量传输问题。一次读或写操作有三个阶段:命令、数据、状态。调用三次批量传输实现三个阶段。在我的程 ......
liyq007 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1800  75  944  1579  307  4  27  17  10  52 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved