ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
•
High DC Current Gain — hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc
= 45 (Min) @ IC = 2 Adc
= 10 (Min) @ IC = 5 Adc
•
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
•
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
•
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
= 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc
•
High Current–Gain — Bandwidth Product — fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc
•
Annular Construction for Low Leakage — ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB
IEBO
* When surface mounted on minimum pad sizes recommended.
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
µs,
Duty Cycle
2%.
OFF CHARACTERISTICS
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount
Applications
Complementary
Plastic Power Transistors
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
REV 1
Emitter Cutoff Current (VBE = 8 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
(VCB = 40 Vdc, IE = 0, TJ = 125
_
C)
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance,
Junction to Ambient*
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Total Device Dissipation @ TA = 25
_
C*
Derate above 25
_
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current
Collector Current — Continuous
Peak
Emitter–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Characteristic
Characteristic
Rating
[
VCEO(sus)
Symbol
Symbol
Symbol
VCEO
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
Value
1.4
0.011
12.5
0.1
5
10
25
40
1
8
Watts
W/
_
C
Watts
W/
_
C
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
_
C
SILICON
POWER TRANSISTORS
5 AMPERES
25 VOLTS
12.5 WATTS
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
MJD200
PNP
MJD210
CASE 369A–13
CASE 369–07
Order this document
by MJD200/D
NPN
0.190
4.826
TJ, Tstg
R
θJC
R
θJA
ICBO
Min
– 65 to + 150
25
—
—
—
Max
10
89.3
Max
100
100
100
—
(continued)
_
C/W
nAdc
nAdc
Unit
Unit
Vdc
inches
mm
1
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.07
1.8
0.165
4.191
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MJD200 MJD210
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
µs,
Duty Cycle
(2) fT =
h
fe
•
ftest.
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Current–Gain — Bandwidth Product (2)
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz)
Base–Emitter On Voltage (1) (IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc)
Base–Emitter Saturation Voltage (1) (IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
(IC = 2 Adc, IB = 200 mAdc)
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
DC Current Gain (1)
(IC = 500 mAdc, VCE = 1 Vdc)
(IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc)
(IC = 5 Adc, VCE = 2 Vdc)
2
t, TIME (ns)
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
1.5
TA TC
2.5 25
0.5
1
0
2
100
t, TIME (ns)
500
300
200
1K
10
15
20
50
30
20
10
5
5
3
2
0
1
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
25
MJD200
MJD210
50
Figure 1. Power Derating
Figure 3. Turn–On Time
TC
T, TEMPERATURE (°C)
tr
TA (SURFACE MOUNT)
75
Characteristic
td
100
[
2%.
VCC = 30 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
125
5
150
10
+11 V
0
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
FOR PNP TEST CIRCUIT,
1N5825 USED ABOVE IB
≈
100 mA
REVERSE ALL POLARITIES
MSD6100 USED BELOW IB
≈
100 mA
10K
100
500
300
200
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1%
1K
5K
3K
2K
50
30
20
10
0.01 0.02 0.03 0.05 0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
MJD200
MJD210
–9 V
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJD200
MJD210
Figure 2. Switching Time Test Circuit
25
µs
VCE(sat)
VBE(sat)
VBE(on)
Symbol
Figure 4. Turn–Off Time
Cob
hFE
fT
51
tf
RB
Min
65
70
45
10
—
—
—
—
—
—
—
ts
–4 V
D1
0.3
0.75
1.8
Max
80
120
—
180
—
1.6
2.5
—
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
VCC
+ 30 V
RC
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
SCOPE
pF
—
3
5
10
MJD200 MJD210
NPN
MJD200
400
TJ = 150°C
25°C
hFE, DC CURRENT GAIN
hFE, DC CURRENT GAIN
200
– 55°C
100
80
60
40
VCE = 1 V
VCE = 2 V
0.5 0.7 1
0.2 0.3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
3
5
200
400
TJ = 150°C
25°C
100
80
60
40
VCE = 1 V
VCE = 2 V
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3
5
PNP
MJD210
– 55°C
20
0.05 0.07 0.1
20
0.05 0.07 0.1
Figure 5. DC Current Gain
2
TJ = 25°C
1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2
TJ = 25°C
1.6
1.2
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1 V
0.4
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
3
5
1.2
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1 V
0.4
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
3
5
0.8
0.8
Figure 6. “On” Voltage
+ 2.5
θ
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/
°
C)
+2
+ 1.5
+1
+ 0.5
0
– 0.5
–1
– 1.5
–2
– 2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
θ
VB for VBE
– 55°C to 25°C
2
3
5
– 55°C to 25°C
25°C to 150°C
θ
VC for VCE(sat)
25°C to 150°C
*APPLIES FOR IC/IB
≤
hFE/3
θ
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/
°
C)
+ 2.5
+2
+ 1.5
+1
+ 0.5
0
– 0.5
–1
– 1.5
–2
– 2.5
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
25°C to 150°C
θ
VB for VBE
– 55°C to 25°C
*θVC for VCE(sat)
– 55°C to 25°C
*APPLIES FOR IC/IB
≤
hFE/3
25°C to 150°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 7. Temperature Coefficients
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3
MJD200 MJD210
r(t), TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (NORMALIZED)
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
0.05
0.02
0.01
0 (SINGLE PULSE)
D = 0.5
0.2
0.1
R
θJC
(t) = r(t)
θ
JC
R
θJC
= 10°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk)
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
t, TIME (ms)
5
10
20
50
100
200
Figure 8. Thermal Response
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5
3
2
1
5 ms
TJ = 150°C
100
µs
500
µs
dc
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
(SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
1
2
3
5
7 10
20
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
30
1 ms
0.1
0.01
0.3
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 9 is based on T J(pk) = 150
_
C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
150
_
C. T J(pk) may be calculated from the data in Fig-
ure 8. At high case temperatures, thermal limitations will re-
duce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
Case 369–05 may be ordered by adding a “–1” suffix to the
device title (i.e. MJD200–1)
v
Figure 9. Active Region Safe Operating Area
200
TJ = 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
100
70
50
Cob
30
20
0.4
MJD200 (NPN)
MJD210 (PNP)
0.6
1
2
4
6
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
20
40
Cib
Figure 10. Capacitance
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJD200 MJD210
PACKAGE DIMENSIONS
–T–
B
V
R
4
SEATING
PLANE
C
E
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
INCHES
MIN
MAX
0.235
0.250
0.250
0.265
0.086
0.094
0.027
0.035
0.033
0.040
0.037
0.047
0.180 BSC
0.034
0.040
0.018
0.023
0.102
0.114
0.090 BSC
0.175
0.215
0.020
0.050
0.020
–––
0.030
0.050
0.138
–––
MILLIMETERS
MIN
MAX
5.97
6.35
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.84
1.01
0.94
1.19
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.45
5.46
0.51
1.27
0.51
–––
0.77
1.27
3.51
–––
S
1
2
3
A
K
F
L
D
G
2 PL
Z
U
J
H
0.13 (0.005)
T
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
M
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
CASE 369A–13
ISSUE W
B
V
R
4
C
E
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
R
S
V
INCHES
MIN
MAX
0.235
0.250
0.250
0.265
0.086
0.094
0.027
0.035
0.033
0.040
0.037
0.047
0.090 BSC
0.034
0.040
0.018
0.023
0.350
0.380
0.175
0.215
0.050
0.090
0.030
0.050
MILLIMETERS
MIN
MAX
5.97
6.35
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.84
1.01
0.94
1.19
2.29 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
8.89
9.65
4.45
5.46
1.27
2.28
0.77
1.27
A
1
2
3
S
–T–
SEATING
PLANE
K
F
D
G
3 PL
M
J
H
0.13 (0.005)
T
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
CASE 369–07
ISSUE K
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
5
单片机
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
