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MJD2955

产品描述10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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MJD2955概述

10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

10 A, 60 V, PNP, 硅, 功率晶体管

MJD2955规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度140 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2 MHz
Base Number Matches1

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MJD2955
MJD2955
General Purpose Amplifier
Low Speed Switching Applications
D-PAK for Surface Mount Applications
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)
Straight Lead (I-PAK, “ -I “ Suffix)
Electrically Similar to Popular MJE2955T
DC Current Gain Specified to 10A
High Current Gain - Bandwidth Product:
f
T
= 2MHz (MIN), I
C
= -500mA
1
D-PAK
1.Base
1
I-PAK
3.Emitter
2.Collector
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25°C)
Collector Dissipation (T
a
=25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Value
- 70
- 60
-5
- 10
-6
20
1.75
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
(sus)
I
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Parameter
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
Collector Cut-off Current
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter ON Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Test Condition
I
C
= - 30mA, I
B
= 0
V
CE
= - 30V, I
E
= 0
V
CB
= - 70V, I
E
= 0
V
EB
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 4V, I
C
= - 4A
V
CE
= - 4V, I
C
= -10A
I
C
= - 4A, I
B
= - 0.4A
I
C
= - 10A, I
B
= - 3.3A
V
CE
= - 4V, I
C
= - 4A
V
CE
= - 10V, I
C
= - 500mA
2
20
5
Min.
-60
Max.
- 50
-2
- 0.5
100
- 1.1
-8
-1.8
V
V
V
MHz
Units
V
µA
mA
mA
* Pulse Test: PW≤300ms, Duty Cycle≤2%
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001

 
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