ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
* Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface (in a location beneath the die), the device mounted on
a heatsink with thermal grease and a mounting torque of
≥
6 in. lbs.
(1) Proper strike and creepage distance must be provided.
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
For Isolated Package Applications
Complementary Power
Darlingtons
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
Designed for general–purpose amplifiers and switching applications, where the
mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink
or chassis.
•
•
•
•
•
•
•
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
Lead Temperature for Soldering Purpose
Thermal Resistance, Junction to Case*
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Junction Temperature Range
Total Power Dissipation @ TA = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Total Power Dissipation* @ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current
Collector Current — Continuous
Peak
RMS Isolation Voltage (1)
(for 1 sec, R.H. < 30%,
TA = 25
_
C)
Emitter–Base Voltage
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Electrically Similar to the Popular TIP122 and TIP127
100 VCEO(sus)
5 A Rated Collector Current
No Isolating Washers Required
Reduced System Cost
High DC Current Gain — 2000 (Min) @ IC = 3 Adc
UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMS Isolation
Characteristic
Rating
Test No. 1 Per Fig. 14
Test No. 2 Per Fig. 15
Test No. 3 Per Fig. 16
Symbol
Symbol
TJ, Tstg
VISOL
VCEO
R
θJC
R
θJA
VCB
VEB
PD
PD
TL
IC
IB
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER DARLINGTONS
5 AMPERES
100 VOLTS
30 WATTS
MJF122
PNP
MJF127
– 65 to + 150
CASE 221D–02
TO–220 TYPE
Value
2
0.016
Order this document
by MF122/D
4500
3500
1500
62.5
Max
0.12
30
0.24
260
100
100
4.1
NPN
5
8
5
VRMS
Watts
W/
_
C
Watts
W/
_
C
_
C/W
_
C/W
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
_
C
IC
1
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MJF122 MJF127
(1) Pulse Test: Pulse Width
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (1)
OFF CHARACTERISTICS
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.,
1N5825 USED ABOVE IB
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW IB
≈
100 mA
V1
APPROX.
–12 V
t, TIME (
µ
s)
V2
APPROX.
+8 V
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 3 Adc, IB = 12 mAdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5 Adc, IB = 20 mAdc)
DC Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 3 Vdc)
DC Current Gain
(IC = 3 Adc, VCE = 3 Vdc)
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Small–Signal Current Gain (IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 MHz)
Base–Emitter On Voltage (IC = 3 Adc, VCE = 3 Vdc)
Emitter Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 50 Vdc, IB = 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
2
0
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1%
Figure 1. Switching Times Test Circuit
25
µs
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED
AND V2 = 0
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES.
v
300
µs,
Duty Cycle
v
2%.
51
RB
D1
Characteristic
+4 V
≈
8k
≈
120
RC
TUT
VCC
– 30 V
SCOPE
0.1
0.07
0.05
0.1
0.3
0.2
1
0.7
0.5
2
5
3
MJF127
MJF122
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.2
Figure 2. Typical Switching Times
ts
VCEO(sus)
3
0.5 0.7 1
2
0.3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VCE(sat)
VBE(on)
Symbol
ICBO
ICEO
IEBO
Cob
hFE
hfe
PNP
NPN
1000
2000
Min
100
—
—
—
—
—
—
—
—
tf
4
tr
td @ VBE(off) = 0 V
Max
300
200
2.5
2
3.5
10
10
—
—
—
—
2
mAdc
µAdc
µAdc
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
pF
—
—
5
7
10
MJF122 MJF127
TA TC
4 80
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
3 60
TC
2 40
1 20
TA
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T, TEMPERATURE (°C)
Figure 3. Maximum Power Derating
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
20 30
50
t, TIME (ms)
100
200 300
500
1K
2K 3K
5K
10K
SINGLE PULSE
R
θJC(t)
= r(t) R
θJC
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θJC
(t)
r(t), TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (NORMALIZED)
Figure 4. Thermal Response
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
CURRENT LIMIT
SECONDARY BREAKDOWN
LIMIT
THERMAL LIMIT @
TC = 25°C (SINGLE PULSE)
1
10
5
20 30
2
3
50
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 150°C
dc
5 ms
1 ms
100
µs
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 150
_
C; TC is
variable depending on conditions. Secondary breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
< 150
_
C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limitations
imposed by secondary breakdown.
100
Figure 5. Maximum Forward Bias
Safe Operating Area
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3
MJF122 MJF127
10,000
hfe , SMALL–SIGNAL CURRENT GAIN
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1
2
TC = 25°C
VCE = 4 Vdc
IC = 3 Adc
300
TJ = 25°C
200
C, CAPACITANCE (pF)
Cob
100
70
50
PNP
NPN
5
10
20
50 100
f, FREQUENCY (kHz)
200
500 1000
30
0.1
0.2
PNP
NPN
2
10
20
0.5
1
5
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
50
100
Cib
Figure 6. Typical Small–Signal Current Gain
Figure 7. Typical Capacitance
NPN
MJF122
20,000
VCE = 4 V
10,000
hFE , DC CURRENT GAIN
5000
3000
2000
25°C
1000
500
300
200
– 55°C
TJ = 150°C
10,000
hFE , DC CURRENT GAIN
7000
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
0.1
25°C
TJ = 150°C
20,000
PNP
MJF127
VCE = 4 V
– 55°C
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 8. Typical DC Current Gain
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3
TJ = 25°C
2.6
IC = 2 A
2.2
4A
6A
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3
TJ = 25°C
2.6
IC = 2 A
2.2
4A
6A
1.8
1.8
1.4
1.4
1
0.3
1
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20
30
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20
30
IB, BASE CURRENT (mA)
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 9. Typical Collector Saturation Region
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJF122 MJF127
NPN
MJF122
3
TJ = 25°C
2.5
V, VOLTAGE (VOLTS)
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.5
3
TJ = 25°C
PNP
MJF127
2
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4 V
1
0.5
0.1
VCE(sat) @ IC/IB = 250
2
1.5
1.5
VBE @ VCE = 4 V
VBE(sat) @ IC/IB = 250
1
0.5
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 10. Typical “On” Voltages
+5
+4
+3
+2
+1
0
–1
–2
–3
–4
–5
0.1
25°C to 150°C
θ
VB FOR VBE
0.2 0.3
0.5
– 55°C to 25°C
0.7
1
2
3
5
7
10
*θVC FOR VCE(sat)
*IC/IB
≤
hFE 3
25°C to 150°C
– 55°C to 25°C
θ
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/
°
C)
θ
V, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV
°
C)
+5
+4
+3
+2
+1
0
–1
–2
–3
–4
–5
0.1
θ
VB FOR VBE
– 55°C to 25°C
25°C to 150°C
5
7
10
*θVC FOR VCE(sat)
– 55°C to 25°C
*IC/IB
≤
hFE 3
25°C to 150°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2 0.3
0.5
1
2 3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 11. Typical Temperature Coefficients
105
REVERSE
IC, COLLECTOR CURRENT (
µ
A)
104
103
102
TJ = 150°C
101
100
100°C
VCE = 30 V
FORWARD
IC, COLLECTOR CURRENT (
µ
A)
105
REVERSE
104
103
102
101
100
25°C
10–1
+ 0.6 + 0.4 + 0.2
TJ = 150°C
100°C
VCE = 30 V
FORWARD
25°C
10–1
– 0.6 – 0.4 – 0.2
0
+ 0.2
+ 0.4 + 0.6 + 0.8
+1
+ 1.2 + 1.4
0
– 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8
–1
– 1.2 – 1.4
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Typical Collector Cut–Off Region
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
5