电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

TK100E08N1S1X

产品描述MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小248KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
下载文档 详细参数 全文预览

TK100E08N1S1X在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
TK100E08N1S1X - - 点击查看 点击购买

TK100E08N1S1X概述

MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A

TK100E08N1S1X规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage80 V
Id - Continuous Drain Current214 A
Rds On - Drain-Source Resistance3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage10 V
Qg - Gate Charge130 nC
ConfigurationSingle
高度
Height
15.1 mm
长度
Length
10.16 mm
Factory Pack Quantityevtruuwdvuzyffecdczev50
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
4.45 mm
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 297  634  813  1383  1388 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved