电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MJE181

产品描述3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小96KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MJE181在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
MJE181 - - 点击查看 点击购买

MJE181概述

3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

3 A, 80 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-126

MJE181规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)3 A
基于收集器的最大容量40 pF
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)12
JEDEC-95代码TO-225AA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值12.5 W
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
VCEsat-Max1.7 V

文档预览

下载PDF文档
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
. . . designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching
applications.
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 60 Vdc — MJE171, MJE181
VCEO(sus)
= 80 Vdc — MJE172, MJE182
DC Current Gain —
hFE = 30 (Min) @ IC = 0.5 Adc
hFE
= 12 (Min) @ IC = 1.5 Adc
Current–Gain — Bandwidth Product —
fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc
Annular Construction for Low Leakages —
ICBO = 100 nA (Max) @ Rated VCB
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Total Power Dissipation @ TA = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current
Collector Current — Continuous
Peak
Emitter–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Characteristic
Rating
TA TC
2.8 14
Symbol
Symbol
TJ, Tstg
VCB
VCEO
VEB
IC
θ
JC
θ
JA
PD
IB
PD
MJE171
MJE181
60
80
– 65 to + 150
1.5
0.012
83.4
Max
12.5
0.1
1.0
3.0
6.0
7.0
10
MJE172
MJE182
100
80
Watts
W/
_
C
Watts
W/
_
C
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Complementary Plastic
Silicon Power Transistors
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
REV 2
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
0.4 2.0
0.8 4.0
1.2 6.0
1.6 8.0
2.0
2.4
0
10
12
0
20
40
Figure 1. Power Derating
60
T, TEMPERATURE (°C)
TA
TC
80
100
120
_
C/W
_
C/W
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
_
C
140
160
3 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
60 – 80 VOLTS
12.5 WATTS
MJE171*
MJE172*
NPN
MJE181*
MJE182*
*Motorola Preferred Device
CASE 77–08
TO–225AA
Order this document
by MJE171/D
PNP
1

MJE181相似产品对比

MJE181 MJE182 MJE171
描述 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A
基于收集器的最大容量 40 pF 40 pF 60 pF
集电极-发射极最大电压 60 V 80 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 12 12 12
JEDEC-95代码 TO-225AA TO-225AA TO-225AA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN PNP
功耗环境最大值 12.5 W 12.5 W 12.5 W
最大功率耗散 (Abs) 1.5 W 1.5 W 1.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz
VCEsat-Max 1.7 V 1.7 V 1.7 V
包装说明 - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
如下是哪个公司的芯片?
今天在板子上见到如下MCU,型号没见过,搜也没找到,不知道哪位大仙用过,指点一下,哪个厂家?最好附个链接 32pin 第一行:REN10 第二行:509 第三行:F1E2 270694 ...
suoma 分立器件
STM32F2系列 MDK軟體模擬問題
各位大俠好新手上路,有點小問題請各位解惑我使用STstm32f2xx_stdperiph_lib MDK 4.23測試GPIO的範例但是我使用debug simulator的功能,先是出現錯誤訊息*** error 65: access violation at 0 ......
jokie stm32/stm8
显示温度的杯子
49459这个杯子侧面的电池标志其实是一个显示杯内冷热的刻度,它可以根据杯子里面水的温度,自动改变颜色,这样就不用担心被热水烫到舌头了...
xyh_521 创意市集
USBHID照着圈圈的做的,可以只能IN不能OUT
我用的是圈圈做的USBHID的配置,可是在我的程序上只能在端点1发送数据,端点2确收不到数据,感觉中断也没有。不知道是什么原因,请版主主和圈圈帮我看看是咋回事。constu8CustomHID_Device ......
laowen_110 stm32/stm8
TMS320F28335 ADC模块的学习
TMS320F28335内部包含12位AD转换器,其功能有: 具有内置(采样保持)S/H的12位ADC内核 模拟输入:0.0V至3.0V(高于3.0V的电压产生满刻度转换结果)。 快速转换率:在25MHzADC时钟12.5MSPS上 ......
火辣西米秀 微控制器 MCU
基于智能手机与PC机的智能家居系统设计
本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:59 编辑 管是手机还是家电产品都逐渐融入网络中,信息家电是将现代网络通信技术融入到传统的家用电器,使之成为具有信息访问、获取、存储、处理、 ......
探路者 消费电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2183  1471  71  2253  1281  53  6  35  17  27 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved