电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IS46R16320E-5BLA1

产品描述DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS
产品类别存储   
文件大小989KB,共34页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IS46R16320E-5BLA1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IS46R16320E-5BLA1 - - 点击查看 点击购买

IS46R16320E-5BLA1概述

DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS

IS46R16320E-5BLA1规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
DRAM
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
RoHSDetails
类型
Type
SDRAM - DDR1
Data Bus Width16 bit
Organization32 M x 16
封装 / 箱体
Package / Case
BGA-60
Memory Size512 Mbit
Maximum Clock Frequency200 MHz
Access Time5 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
2.7 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
2.3 V
Supply Current - Max140 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
系列
Packaging
Reel
Moisture SensitiveYes
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
108

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 66  162  1172  1402  1533 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved