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NDPL180N10BG

产品描述ARM Microcontrollers - MCU ARM M4 1024 FLASH 168 Mhz 192kB SRAM
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小670KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NDPL180N10BG概述

ARM Microcontrollers - MCU ARM M4 1024 FLASH 168 Mhz 192kB SRAM

NDPL180N10BG规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100 V
Id - Continuous Drain Current180 A
Rds On - Drain-Source Resistance3.5 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge95 nC
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Tube
Fall Time130 ns
Forward Transconductance - Min150 S
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
200 W
Rise Time320 ns
Factory Pack Quantitytxtxewwdewstywqbtxsfw50
Typical Turn-Off Delay Time185 ns
Typical Turn-On Delay Time95 ns
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz

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NDPL180N10B
Power MOSFET
100V, 3.0mΩ, 180A, N-Channel
www.onsemi.com
Features
Ultra Low On-Resistance
Low Gate Charge
High Speed Switching
100% Avalanche Test
Pb-Free and RoHS compliance
VDSS
100V
RDS(on) Max
3.0mΩ@ 15V
3.5mΩ@ 10V
ID Max
180A
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25C
(Note 1)
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (DC) Limited by Package
Drain Current (Pulse)
PW10s, duty cycle1%
Power Dissipation
Tc=25C
Junction Temperature
Storage Temperature
Source Current (Body Diode)
Avalanche Energy (Single Pulse) (Note 2)
Lead Temperature for Soldering
Purposes, 3mm from Case for 10 Seconds
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDL
IDP
PD
Tj
Tstg
IS
EAS
TL
Value
100
20
180
100
600
2.1
200
175
55
to +175
100
451
260
Unit
V
V
A
A
Electrical Connection
N-Channel
2
1
A
W
C
C
A
mJ
C
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
3
Marking
180N10
B
1
2
3
LOT No.
Note 1 : Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage
the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not
be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
2 : VDD=48V, L=100H, IAV=70A (Fig.1)
TO-220-3L
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Junction to Case Steady State
Junction to Ambient (Note 3)
Symbol
R
JC
R
JA
Value
0.75
71.4
Unit
C/W
Note 3 : Insertion mounted
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 5 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2016
January 2016 - Rev. 4
1
Publication Order Number :
NDPL180N10B/D
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