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MJE703

产品描述NPN (HIGH DC CURRENT GAIN)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小255KB,共6页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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MJE703概述

NPN (HIGH DC CURRENT GAIN)

MJE703规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)4 A
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)40 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)1 MHz

MJE703相似产品对比

MJE703 MJE702 MJE701 MJE700
描述 NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) NPN (HIGH DC CURRENT GAIN)
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A 4 A 4 A
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 750 750 750 750
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 40 W 40 W 40 W 40 W
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz
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