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MJF18009

产品描述POWER TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小227KB,共10页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJF18009概述

POWER TRANSISTORS

MJF18009规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压450 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)7
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)12 MHz
Base Number Matches1

MJF18009相似产品对比

MJF18009 MJE18009
描述 POWER TRANSISTORS POWER TRANSISTORS
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 SFM TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 10 A 10 A
集电极-发射极最大电压 450 V 450 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 7 7
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 50 W 150 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 12 MHz 12 MHz
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