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1N5461BCO

产品描述Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共1页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
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1N5461BCO概述

Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, DIE-1

1N5461BCO规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
零件包装代码DIE
包装说明X-XUUC-N
针数1
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比2.7
标称二极管电容6.8 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码X-XUUC-N
JESD-609代码e0
元件数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最小质量因数600
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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