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CGH40025F-TB

产品描述RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
产品类别开发板/开发套件/开发工具   
文件大小1MB,共14页
制造商Cree(科瑞)
官网地址http://www.cree.com/
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CGH40025F-TB在线购买

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CGH40025F-TB概述

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt

CGH40025F-TB规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
RF Development Tools
制造商
Manufacturer
Cree(科瑞)
RoHSNo
产品
Product
Demonstration Boards
类型
Type
RF Transistors
工具用于评估
Tool Is For Evaluation Of
CGH40025F
频率
Frequency
6 GHz
工作电源电压
Operating Supply Voltage
28 V
系列
Packaging
Bulk
Description/FunctionDemonstration board for CGH4425F
用于
For Use With
CGH40025F
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2

CGH40025F-TB相似产品对比

CGH40025F-TB CGH40025F
描述 RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
产品种类
Product Category
RF Development Tools RF JFET Transistors
制造商
Manufacturer
Cree(科瑞) Cree(科瑞)
RoHS No Details
产品
Product
Demonstration Boards GaN HEMT
系列
Packaging
Bulk Tube
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - 40 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2 250

 
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