Variable Capacitance Diode, 8.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 30 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 2% |
最小二极管电容比 | 2.8 |
标称二极管电容 | 8.2 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-7 |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.4 W |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 600 |
参考标准 | MIL |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
变容二极管分类 | ABRUPT |
Base Number Matches | 1 |
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