SURFACE MOUNT
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 零件包装代码 | DO-213AB |
| 包装说明 | O-LELF-R2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 最小击穿电压 | 14.4 V |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大钳位电压 | 37.9 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-213AB |
| JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 4000 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 1.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 13 V |
| 最大反向电流 | 1 µA |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
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