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MMBD3000T1

产品描述Switching Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共8页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MMBD3000T1概述

Switching Diode

MMBD3000T1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.225 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流0.0005 µA
最大反向恢复时间3 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

MMBD3000T1相似产品对比

MMBD3000T1 MMSD1000LT1 MMBD2000T1 MMBD1000LT1
描述 Switching Diode Switching Diode Switching Diode Switching Diode
厂商名称 Motorola ( NXP ) - Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.95 V - 0.95 V 0.95 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 - e0 e0
最大非重复峰值正向电流 0.5 A - 0.5 A 0.5 A
元件数量 1 - 1 1
端子数量 3 - 3 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.2 A - 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.225 W - 0.15 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
最大反向电流 0.0005 µA - 0.0005 µA 0.0005 µA
最大反向恢复时间 3 µs - 3 µs 3 µs
表面贴装 YES - YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL DUAL

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