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1ZB18TPA3

产品描述DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小76KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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1ZB18TPA3概述

DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

1ZB18TPA3规格参数

参数名称属性值
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大击穿电压19.8 V
最小击穿电压16.2 V
击穿电压标称值18 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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