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MP358: 产品描述35 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小182KB，共2页; 制造商MCC; 官网地址http://www.mccsemi.com

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35 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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描述	35 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	35 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	35 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	35 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	35 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	35 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	35 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

是不是用TI M4的人很少啊？学习资料很少，例程也不多讨论问题也不是很活跃的感觉: 是这样吗感觉这样学起来太费劲了...; cheney1227 微控制器 MCU

C2000的JTAG接口问题: C2000的JTAG接口，可以作为IO口使用。但是，当定义为IO时，在调试模式就无法使用，怎么兼顾调试功能？...; someonewho 微控制器 MCU

何谓霍尔效应？: 一、霍尔效应的发现　　霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年在研究金属的导电机制时发现的。当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，导体中会产生一个与电流方向及磁场方向均垂直的电势差。且电势差的大小与磁感应强度的垂直分量及电流的大小成正比。在半导体中，霍尔效应更加明显。二、霍尔效应的原理　　霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中...; 银河电气传感器

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