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2DA1774Q-7: 产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小68KB，共4页; 制造商Diodes; 官网地址http://www.diodes.com/

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Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
制造商 Manufacturer	Diodes
RoHS	No
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-523-3
Transistor Polarity	PNP
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Maximum DC Collector Current	0.15 A
Gain Bandwidth Product fT	140 MHz
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	120
高度 Height	0.75 mm
长度 Length	1.6 mm
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
系列 Packaging	Reel
系列 Packaging	Cut Tape
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	150 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000
宽度 Width	0.8 mm
单位重量 Unit Weight	0.000071 oz

	2DA1774Q-7	2DA1774R-7
描述	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR	Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Bipolar Transistors - BJT
制造商 Manufacturer	Diodes	Diodes
RoHS	No	No
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-523-3	SOT-523-3
Transistor Polarity	PNP	PNP
Configuration	Single	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	50 V
Collector- Base Voltage VCBO	60 V	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	6 V
Maximum DC Collector Current	0.15 A	0.15 A
Gain Bandwidth Product fT	140 MHz	140 MHz
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	120	180
高度 Height	0.75 mm	0.75 mm
长度 Length	1.6 mm	1.6 mm
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	150 mW	150 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000	3000
宽度 Width	0.8 mm	0.8 mm
单位重量 Unit Weight	0.000071 oz	0.000071 oz
系列 Packaging	Cut Tape	Cut Tape

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