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MUR20010CT

产品描述100V 200A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Twin Tower Package
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小384KB,共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
标准  
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MUR20010CT概述

100V 200A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Twin Tower Package

MUR20010CT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid8060900138
包装说明R-PUFM-X2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL6
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流800 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流100 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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MUR20005CT thru MUR20020CTR
Silicon Super Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 50 V to 200 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Twin Tower Package
V
RRM
= 50 V - 200 V
I
F(AV)
= 200 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MUR20005CT (R) MUR20010CT (R)
50
35
50
-55 to 150
-55 to 150
100
70
100
-55 to 150
-55 to 150
MUR20020CT (R)
200
140
200
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per
pkg)
Peak forward surge current (per
leg)
Maximum instantaneous forward
voltage (per leg)
Maximum reverse current at
rated DC blocking voltage (per
leg)
Maximum reverse recovery time
(per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
Conditions
T
C
= 140 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 100 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
MUR20005CT (R) MUR20010CT (R)
200
2000
1.0
25
3
75
200
2000
1.0
25
3
75
MUR20020CT (R)
200
2000
1.0
25
3
75
Unit
A
A
V
μA
mA
nS
Thermal characteristics
Maximum thermal resistance,
junction - case (per leg)
R
ΘJC
0.45
0.45
0.45
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/super-fast-recovery-rectifiers/
1

MUR20010CT相似产品对比

MUR20010CT MUR20020CT
描述 100V 200A Silicon Super Fast Recovery Rectifier in Twin Tower Package Rectifiers 200V 200A Super Fast Recovery
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.3 V
JESD-30 代码 R-PUFM-X2 R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流 800 A 800 A
元件数量 2 2
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出电流 100 A 100 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 100 V 200 V
最大反向电流 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.075 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
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