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RB521S30T5G

产品描述Headers u0026 Wire Housings 1.25MM HDR 2 CKT Right-Angle
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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RB521S30T5G在线购买

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RB521S30T5G概述

Headers u0026 Wire Housings 1.25MM HDR 2 CKT Right-Angle

RB521S30T5G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
制造商包装代码502-01
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID792040
Samacsys Pin Count2
Samacsys Part CategorySchottky Diode
Samacsys Package CategorySmall Outline Diode Flat Lead
Samacsys Footprint NameSOD−523 CASE 502−01 ISSUE E
Samacsys Released Date2020-01-02 09:28:56
Is SamacsysN
应用FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流30 µA
反向测试电压10 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RB521S30T1G,
NSVRB521S30T1G,
RB521S30T5G
Schottky Barrier Diode
These Schottky barrier diodes are designed for high−speed
switching applications, circuit protection, and voltage clamping.
Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature
surface mount package is excellent for hand−held and portable
applications where space is limited.
Features
www.onsemi.com
30 V SCHOTTKY
BARRIER DIODE
Extremely Fast Switching Speed
Extremely Low Forward Voltage 0.5 V (max) @ I
F
= 200 mA
Low Reverse Current
NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Reverse Voltage
Forward Current DC
Peak Forward Surge Current (Note 1)
Symbol
V
R
I
F
I
FSM
Value
30
200
1.0
Unit
Vdc
mA
A
SOD−523
CASE 502
1
CATHODE
2
ANODE
MARKING DIAGRAM
1
5M
M
G
5M M
G
G
2
= Device Code
= Date Code*
= Pb−Free Package
ESD Rating: Class 1C per Human Body Model
ESD Rating:
Class C per Machine Model
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
1. 60 Hz for 1 cycle.
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation may vary depending up-
on manufacturing location.
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR−5 Board,
(Note 2)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Junction and Storage Temperature
Range
2. FR−5 Minimum Pad.
Symbol
P
D
200
1.57
R
qJA
T
J
, T
stg
635
−55 to +125
°C
mW
mW/°C
°C/W
Max
Unit
RB521S30T1G
SOD−523
4 mm Pitch
(Pb−Free) 3,000/Tape & Reel
NSVRB521S30T1G SOD−523
4 mm Pitch
(Pb−Free) 3,000/Tape & Reel
RB521S30T5G
SOD−523
2 mm Pitch
(Pb−Free) 8,000/Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2015
1
November, 2015 − Rev. 9
Publication Order Number:
RB521S30T1/D
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