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TK6A80ES4X

产品描述Development Boards u0026 Kits - ARM 32F769IDISCOVERY Discovery Kit
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小271KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TK6A80ES4X概述

Development Boards u0026 Kits - ARM 32F769IDISCOVERY Discovery Kit

TK6A80ES4X规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220FP-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage800 V
Id - Continuous Drain Current6 A
Rds On - Drain-Source Resistance1.35 Ohms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4 V
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Qg - Gate Charge32 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Reel
Fall Time15 ns
高度
Height
15 mm
长度
Length
10 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
45 W
Rise Time20 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time85 ns
Typical Turn-On Delay Time55 ns
宽度
Width
4.5 mm
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz
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