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AS6C4008-55PCN: 产品描述Flash Memory 512K X 8 70ns; 产品类别存储存储; 文件大小513KB，共14页; 制造商Alliance Memory; 标准

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AS6C4008-55PCN概述

Flash Memory 512K X 8 70ns

AS6C4008-55PCN规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Alliance Memory
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	8 weeks
Samacsys Description	CMOS SRAM
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
长度	41.9 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.064 mm
最大待机电流	0.00003 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

AS6C4008-55PCN相似产品对比

	AS6C4008-55PCN	AS6C4008-55SINTR	AS6C4008-55ZIN	AS6C4008-55BIN	AS6C4008-55TIN
描述	Flash Memory 512K X 8 70ns	SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM	Tantalum Capacitors - Polymer SMD 6.3V 100uF 1210 ESR=40mOhms	MEMS Microphones ANL MEMs Mic WB, Low Noise, TP	8-bit Microcontrollers - MCU 100MIPS 128KB 12ADC 100P MCU
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DIP	SOIC	TSSOP2	BGA	TSOP1
包装说明	DIP, DIP32,.6	SOP, SOP32,.56	TSOP2, TSOP32,.46	TFBGA, BGA36,6X8,30	TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数	32	32	32	36	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	EAR99	EAR99	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns	55 ns	55 ns	55 ns	55 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PBGA-B36	R-PDSO-G32
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	36	32
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOP	TSOP2	TFBGA	TSOP1
封装等效代码	DIP32,.6	SOP32,.56	TSOP32,.46	BGA36,6X8,30	TSSOP32,.8,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
电源	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.064 mm	2.997 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00003 A	0.00003 A	0.00003 A	0.00003 A	0.00003 A
最小待机电流	2 V	1.5 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.75 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40
宽度	15.24 mm	11.303 mm	10.16 mm	6 mm	8 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1
厂商名称	Alliance Memory	Alliance Memory	Alliance Memory	-	Alliance Memory
Factory Lead Time	8 weeks	8 weeks	8 weeks	-	8 weeks
长度	41.9 mm	-	20.95 mm	8 mm	18.4 mm
湿度敏感等级	-	3	3	3	3

AS6C4008-55PCN

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