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SI6955ADQ-T1-E3

产品描述MOSFET 30V 2.9A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI6955ADQ-T1-E3在线购买

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SI6955ADQ-T1-E3概述

MOSFET 30V 2.9A

SI6955ADQ-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TSSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)2.5 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

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Si6955ADQ
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 30
R
DS(on)
(Ω)
0.080 at V
GS
= - 10 V
0.135 at V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
± 2.9
± 2.2
FEATURES
Halogen-free
TrenchFET
®
Power MOSFETs
RoHS
COMPLIANT
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
Top View
Ordering Information:
Si6955ADQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
8
D
2
S
2
S
2
G
2
G
1
G
2
Si6955ADQ
7
6
5
D
1
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 1.0
1.14
0.73
- 55 to 150
± 2.9
± 2.3
± 20
- 0.70
0.83
0.53
W
°C
10 s
- 30
± 20
± 2.5
± 2.0
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
88
124
69
Maximum
110
150
83
°C/W
Unit
Document Number: 71103
S-81221-Rev. B, 02-Jun-08
www.vishay.com
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