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FT5764M

产品描述SILICON DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小131KB,共2页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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FT5764M概述

SILICON DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

FT5764M规格参数

参数名称属性值
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T12
针数12
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码R-PSIP-T12
元件数量4
端子数量12
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值19 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

FT5764M相似产品对比

FT5764M FT5767M
描述 SILICON DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY SILICON DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
厂商名称 FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通)
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T12 IN-LINE, R-PSIP-T12
针数 12 12
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V
配置 COMPLEX 4 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 500 500
JESD-30 代码 R-PSIP-T12 R-PSIP-T12
元件数量 4 4
端子数量 12 12
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 19 W 19 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
VCEsat-Max 1.5 V 1.5 V
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