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1Z18ATPA1: 产品描述DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小96KB，共3页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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1Z18ATPA1概述

DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

参数名称	属性值
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	18.9 V
最小击穿电压	17.1 V
击穿电压标称值	18 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	200 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1 W
认证状态	Not Qualified
最大反向电流	10 µA
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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