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HRF3205L

产品描述Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小244KB,共11页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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HRF3205L概述

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

HRF3205L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)100 A
最大漏源导通电阻0.008 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)390 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

HRF3205L相似产品对比

HRF3205L
描述 Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
厂商名称 Fairchild
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V
最大漏极电流 (ID) 100 A
最大漏源导通电阻 0.008 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 390 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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