LF411MH放大器基础信息：
LF411MH是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。
LF411MH放大器核心信息：
LF411MH的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.0002 µA他的最大平均偏置电流为0.0002 µA而其最大的输入失调电流（IIO）则仅为0.025 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LF411MH的标称压摆率有15 V/us。厂商给出的LF411MH的最大压摆率为3.4 mA，而最小压摆率为8 V/us。其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LF411MH增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。
LF411MH的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MH的输入失调电压为2000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LF411MH的相关尺寸：
LF411MH拥有8个端子.其端子位置类型为：BOTTOM。共有针脚：8
LF411MH放大器其他信息：
LF411MH采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LF411MH的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
LF411MH不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：O-MBCY-W8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LF411MH封装的材料多为METAL。而其封装形状为ROUND。
LF411MH封装引脚的形式有：CYLINDRICAL。其端子形式有：WIRE。
LF411MH放大器基础信息：
LF411MH是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。
LF411MH放大器核心信息：
LF411MH的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：0.0002 µA他的最大平均偏置电流为0.0002 µA而其最大的输入失调电流（IIO）则仅为0.025 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LF411MH的标称压摆率有15 V/us。厂商给出的LF411MH的最大压摆率为3.4 mA，而最小压摆率为8 V/us。其最小电压增益为25000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LF411MH增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为4000 kHz。
LF411MH的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LF411MH的输入失调电压为2000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LF411MH的相关尺寸：
LF411MH拥有8个端子.其端子位置类型为：BOTTOM。共有针脚：8
LF411MH放大器其他信息：
LF411MH采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。LF411MH的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
LF411MH不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：O-MBCY-W8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LF411MH封装的材料多为METAL。而其封装形状为ROUND。
LF411MH封装引脚的形式有：CYLINDRICAL。其端子形式有：WIRE。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | BCY |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.025 µA |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装等效代码 | CAN8,.2 |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小摆率 | 8 V/us |
| 标称压摆率 | 15 V/us |
| 最大压摆率 | 3.4 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | JFET |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 |
| Base Number Matches | 1 |
| LF411MH | |
|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, MBCY8, Operational Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | BCY |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.025 µA |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装等效代码 | CAN8,.2 |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小摆率 | 8 V/us |
| 标称压摆率 | 15 V/us |
| 最大压摆率 | 3.4 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | JFET |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 4000 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 |
| Base Number Matches | 1 |
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