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FS50UMJ-06

产品描述Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小49KB,共4页
制造商POWEREX
官网地址http://www.pwrx.com/Home.aspx
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FS50UMJ-06概述

Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS50UMJ-06规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称POWEREX
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)50 A
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值70 W
最大功率耗散 (Abs)70 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FS50UMJ-06相似产品对比

FS50UMJ-06 FS5VS-9
描述 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 POWEREX POWEREX
零件包装代码 SFM TO-220S
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V 450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 50 A 5 A
最大漏极电流 (ID) 50 A 5 A
最大漏源导通电阻 0.02 Ω 1.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 70 W 90 W
最大功率耗散 (Abs) 70 W 90 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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