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FS30ASJ-2

产品描述HIGH-SPEED SWITCHING USE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共4页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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FS30ASJ-2概述

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS30ASJ-2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.091 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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