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FS2VS-18A

产品描述Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小48KB,共4页
制造商POWEREX
官网地址http://www.pwrx.com/Home.aspx
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FS2VS-18A概述

Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS2VS-18A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称POWEREX
零件包装代码TO-220S
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻7.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值85 W
最大功率耗散 (Abs)85 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FS2VS-18A相似产品对比

FS2VS-18A FS3VS-18A
描述 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 POWEREX POWEREX
零件包装代码 TO-220S TO-220S
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 900 V 900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 2 A 3 A
最大漏极电流 (ID) 2 A 3 A
最大漏源导通电阻 7.3 Ω 4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 85 W 100 W
最大功率耗散 (Abs) 85 W 100 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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