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CXK58256P-10

产品描述32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
产品类别存储    存储   
文件大小287KB,共7页
制造商SONY(索尼)
官网地址http://www.sony.co.jp
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CXK58256P-10概述

32K WORD X 8 BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

CXK58256P-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SONY(索尼)
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度36.8 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5 mm
最大待机电流0.001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
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