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CT25AS-8-T1

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, MP-3, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共2页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

CT25AS-8-T1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, MP-3, 3 PIN

CT25AS-8-T1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

CT25AS-8-T1相似产品对比

CT25AS-8-T1 CT25AS-8-T2
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, MP-3, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, MP-3, 3 PIN
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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