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1N5529BD7

产品描述Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小88KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N5529BD7概述

Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional

1N5529BD7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE, LOW IMPEDANCE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压9.1 V
最大反向电流0.1 µA
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流1 mA
Base Number Matches1
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