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FQPF6N80

产品描述800V N-Channel MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小665KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FQPF6N80在线购买

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FQPF6N80概述

800V N-Channel MOSFET

FQPF6N80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-220F
包装说明TO-220F, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)680 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.3 A
最大漏极电流 (ID)3.3 A
最大漏源导通电阻1.95 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)51 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)13.2 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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