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FQI5N90

产品描述900V N-Channel MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小681KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FQI5N90概述

900V N-Channel MOSFET

FQI5N90规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-262AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)660 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.4 A
最大漏极电流 (ID)5.4 A
最大漏源导通电阻2.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)158 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)21.6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FQI5N90相似产品对比

FQI5N90 FQB5N90
描述 900V N-Channel MOSFET 900V N-Channel MOSFET
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
零件包装代码 TO-262AA D2PAK
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
雪崩能效等级(Eas) 660 mJ 660 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 900 V 900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.4 A 5.4 A
最大漏极电流 (ID) 5.4 A 5.4 A
最大漏源导通电阻 2.3 Ω 2.3 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 245
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 158 W 158 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 21.6 A 21.6 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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