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FQB7N80

产品描述800V N-Channel MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小755KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FQB7N80概述

800V N-Channel MOSFET

FQB7N80规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-263
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)580 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.6 A
最大漏极电流 (ID)6.6 A
最大漏源导通电阻1.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)167 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)26.4 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FQB7N80相似产品对比

FQB7N80 FQI7N80
描述 800V N-Channel MOSFET 800V N-Channel MOSFET
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
零件包装代码 TO-263 TO-262
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
雪崩能效等级(Eas) 580 mJ 580 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V 800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6.6 A 6.6 A
最大漏极电流 (ID) 6.6 A 6.6 A
最大漏源导通电阻 1.5 Ω 1.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 167 W 167 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 26.4 A 26.4 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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