Rectifier Diode, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon, DO-35,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1 V |
| JEDEC-95代码 | DO-35 |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 265 |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 75 V |
| 最大反向电流 | 0.05 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.002 µs |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| 1N4151-T | 1N4151-B | |
|---|---|---|
| 描述 | Rectifier Diode, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, | Rectifier Diode, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V |
| JEDEC-95代码 | DO-35 | DO-35 |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 265 | 265 |
| 最大功率耗散 | 0.5 W | 0.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 75 V | 75 V |
| 最大反向电流 | 0.05 µA | 0.05 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.002 µs | 0.002 µs |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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