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2SK1949(S)TR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共1页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SK1949(S)TR概述

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SK1949(S)TR规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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