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1N755A-TAP

产品描述Zener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小113KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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1N755A-TAP概述

Zener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2

1N755A-TAP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-35
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)250
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压7.5 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN SILVER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
最大电压容差5%
工作测试电流20 mA
Base Number Matches1

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VISHAY
1N746A to 1N759A
Vishay Semiconductors
Small Signal Zener Diodes
Features
• Silicon Planar Power Zener Diodes.
• Standard Zener voltage tolerance is ± 5 % for "A"
suffix.
Mechanical Data
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 125 mg
Packaging codes/options:
TR / 10 k per 13 " reel, 30 k/box
TAP / 10 k per Ammo tape (52 mm tape), 30 k/box
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Zenner current (see Table
"Characteristics")
Power dissipation
1)
Test condition
Symbol
Value
Unit
T
amb
= 75 °C
P
tot
500
1)
mW
T
L
is measured that leads at a distance of 3/8 " from case are kept at ambient temperature
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Thermal resistance junction to
ambient air
Maximum junction temperature
Storage temperature range
1)
Test condition
Symbol
R
thJA
T
j
T
S
Value
300
1)
175
- 65 to + 175
Unit
°C/W
°C
°C
Valid provided that leads at a distance of 3/8 " from case are kept at ambient temperature
Document Number 85756
Rev. 1.2, 15-Jul-03
www.vishay.com
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